单晶硅化学气相沉积反应器流场初探

对单晶硅化学气相沉积(CVD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析。通过数值求解三维层流Navier-Stokes方程，研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏。结果表明，由于存在浮力效应，轴对称几何体中也会发生非轴对称流场分布，从而影响单晶硅的均匀生长。