Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶。在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵，改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明，外延层衍射峰半宽仅为198arcsec，且出现了Pendellosung干涉条纹，说明外延层结晶质量很好。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李代宗;于卓;雷震霖;成步文;余金中;王启明.Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善,材料研究学报,2000,14(2):215 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
