低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
研究了低温下分子束外延生长GaAs(LTG-GaAs)样品的稳态和瞬态发光。从200℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体GaAs激子峰有一定蓝移。此外，发现在体GaAs上生长LTG-GaAs薄膜可大大减小体GaAs衬底材料中本片发光的衰减时间，但对(e,A°)发光影响不大。用上转换方法对退火和未退火LTG-GaAs样品瞬态发光进行了测量，获得了关于LTG-GaAs中复合中心和陷阱中心的信息。 研究了低温下分子束外延生长GaAs(LTG-GaAs)样品的稳态和瞬态发光。从200℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体GaAs激子峰有一定蓝移。此外，发现在体GaAs上生长LTG-GaAs薄膜可大大减小体GaAs衬底材料中本片发光的衰减时间，但对(e,A°)发光影响不大。用上转换方法对退火和未退火LTG-GaAs样品瞬态发光进行了测量，获得了关于LTG-GaAs中复合中心和陷阱中心的信息。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:02导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5319.pdf: 217432 bytes, checksum: 993ea4bcb18d572abbee14be37547489 (MD5) Previous issue date: 1999 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
江德生;吕振东;崔丽秋;周向前;孙宝权;徐仲英.低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究,发光学报,1999,20(1):7 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
