硅基MIS隧道二极管的研究


Autoria(s): 俞建华; 孙承休; 刘柯林; 高中林; 王启明
Data(s)

1999

Resumo

硅基MIS隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基发光器件提供了可能性。报道了MIS隧道发光二极管(MISLETD)的制作过程、电流-电压和发射光谱特性,讨论了负阻现象和发光机理。

国家自然科学基金,集成光电子国家重点联合实验室基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18539

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103907

Idioma(s)

中文

Fonte

俞建华;孙承休;刘柯林;高中林;王启明.硅基MIS隧道二极管的研究,发光学报,1999,20(1):40

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文