掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
采用等离子化学汽相淀积方法，改变SiH_4和N_2O的流量比制备含有不同氧浓度的SiO_x。用离子注入方法将铒掺入SiO_x,经300～935℃快速热退火，在波长1.54μ处观察到很强的室温光致发光(PL)。发光强度随氧含量和激发功率增加而增加，与SiO_x的微结构有非常密切的关系。对可能的发光机理进行了讨论。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈维德;马智训;许振嘉;何杰;顾诠;梁建军.掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光,发光学报,1999,20(1):55 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
