红光InAlAs量子点的结构和光学性质
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs量子点结构。通过原子力显微镜观测表明，InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大；发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌。光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围，并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响。 利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs量子点结构。通过原子力显微镜观测表明，InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大；发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌。光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围，并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:00导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5314.pdf: 225376 bytes, checksum: b71ab2b1260e4e9a500fbee65debff87 (MD5) Previous issue date: 1999 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周伟;梁基本;徐波;龚谦;李含轩;刘峰奇;姜卫红;江潮;许怀哲;丁鼎;张金福;王占国.红光InAlAs量子点的结构和光学性质,发光学报,1999,20(3):230 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
