氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和铒离子形成发光中心，提高了铒离子的发光强度。退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷，提高了氢的逃逸温度，改善材料的热稳定性，使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高，铒的发光得到增强。讨论了铒离子的发光机制。 利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和铒离子形成发光中心，提高了铒离子的发光强度。退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷，提高了氢的逃逸温度，改善材料的热稳定性，使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高，铒的发光得到增强。讨论了铒离子的发光机制。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5311.pdf: 184500 bytes, checksum: d88e7c0e7a1145dfab1eb118d99d631c (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所;中科院上海技术物理所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
梁建军;王永谦;陈维德;王占国;常勇.氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用,发光学报,2000,21(3):196 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
