非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
低温下，测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下，观察到上下两支腔极化激元光荧光衰退时间与失谐无关；下支腔极化激元光荧光的上升时间也与失谐无关；而上支腔极化激元光荧光的上升时间却与失谐有强烈的依赖关系，随着从负失谐到正失谐的增加，上升时间逐渐减小。对实验结果的物理根源进行了讨论。 低温下，测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下，观察到上下两支腔极化激元光荧光衰退时间与失谐无关；下支腔极化激元光荧光的上升时间也与失谐无关；而上支腔极化激元光荧光的上升时间却与失谐有强烈的依赖关系，随着从负失谐到正失谐的增加，上升时间逐渐减小。对实验结果的物理根源进行了讨论。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:58导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5310.pdf: 248500 bytes, checksum: c84cc645c83fb41797bac97b6d4b66e9 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘宝利;徐仲英;王炳新;邓元明;杨富华.非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱,发光学报,2000,21(4):299 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
