In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响
| Data(s) |
2001
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| Resumo |
研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示，随着In浓度的增加，GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善，低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaInNAs合金生长在GaAs衬底上，为补偿In和N原子尺度的差异，N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。 研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示，随着In浓度的增加，GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善，低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaInNAs合金生长在GaAs衬底上，为补偿In和N原子尺度的差异，N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:58导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5308.pdf: 120685 bytes, checksum: 2677f267a6b30b42e2bae623ac90f5fc (MD5) Previous issue date: 2001 河北省唐山师范学校;内蒙古民族大学;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王志路;张志伟;孙宝权.In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响,发光学报,2001,22(2):151 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
