多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
分析了GaAs/AlGaAs半导体多量子阱光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性，优化设计了多量子阱结构，研制出常通型和常关型两种类型光开关器件，并对器件的光调制特性进行了测量与研究。实验得出的结构与理论计算相符合。 分析了GaAs/AlGaAs半导体多量子阱光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性，优化设计了多量子阱结构，研制出常通型和常关型两种类型光开关器件，并对器件的光调制特性进行了测量与研究。实验得出的结构与理论计算相符合。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:53导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5295.pdf: 290619 bytes, checksum: 522196d2683afd5ed91ea61c0f219938 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈弘达;陈志标;杜云;黄永箴;吴荣汉.多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性,光电子·激光,2000,11(2):143 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
