半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
建立了绝缘电阻大于10~(13)Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响，并讨论了各种因素所引起的测量误差。 建立了绝缘电阻大于10~(13)Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响，并讨论了各种因素所引起的测量误差。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:42导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5268.pdf: 206773 bytes, checksum: 664b794e3cf32274b902b0006bf2382b (MD5) Previous issue date: 2000 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李成基;李韫言;王万年;何宏家.半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题,功能材料与器件学报,2000,6(4):325 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
