NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
介绍了用NH_3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm~2/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm~2/Vs(RT)和1700cm~2/Vs(77K)，相应的二维电子气的面密度为3.2×10~(13)cm~(-2)(RT)和2.6×10~(13)cm~(-2)(77K)。 介绍了用NH_3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm~2/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm~2/Vs(RT)和1700cm~2/Vs(77K)，相应的二维电子气的面密度为3.2×10~(13)cm~(-2)(RT)和2.6×10~(13)cm~(-2)(77K)。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:40导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5263.pdf: 238741 bytes, checksum: 8b1cadf04fdcd90975d119e2dff7c8e9 (MD5) Previous issue date: 2000 中科院半导体所材料科学中心 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙殿照;刘宏新;王军喜;王晓亮;刘成海;曾一平;李晋闽;林兰英.NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料,功能材料与器件学报,2000,6(4):350 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
