反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究


Autoria(s): 陆建祖; 魏红振; 李玉鉴; 张永刚; 林世鸣; 余金中; 刘忠立
Data(s)

2000

Resumo

以SF_6/N_2混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法

以SF_6/N_2混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:09:36导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5258.pdf: 367185 bytes, checksum: 12db9072138d80cb07c48d7d846e1d5e (MD5) Previous issue date: 2000

国家863计划

中国科学院半导体所

国家863计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18421

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103848

Idioma(s)

中文

Fonte

陆建祖;魏红振;李玉鉴;张永刚;林世鸣;余金中;刘忠立.反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究,功能材料与器件学报,2000,6(4):420

Palavras-Chave #微电子学
Tipo

期刊论文