纳米硅薄膜的发光特性研究
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
研究了nc-Si:H薄膜的光致发光(PL)，分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品，晶粒尺寸有一上限，其值在4～5nm这间。在10～77K,nc-SiH薄膜的发光强度几乎没有变化；当温度高于77K,发光强度指数式下降。随温度升高，发光峰位有少许红移。讨论了nc-Si:H光致发光机理，用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程，认为载流子在晶粒内部激发后，弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。 研究了nc-Si:H薄膜的光致发光(PL)，分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品，晶粒尺寸有一上限，其值在4～5nm这间。在10～77K,nc-SiH薄膜的发光强度几乎没有变化；当温度高于77K,发光强度指数式下降。随温度升高，发光峰位有少许红移。讨论了nc-Si:H光致发光机理，用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程，认为载流子在晶粒内部激发后，弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:34导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5252.pdf: 413831 bytes, checksum: 5064a2ce7e52cf5d7e5a34749515b1db (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 中科院微电子中心;北京航空航天大学;中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘明;傅东锋;何宇亮;李国华;韩和相.纳米硅薄膜的发光特性研究,固体电子学研究与进展,2001,21(1):57 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
