硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析


Autoria(s): 欧海燕; 雷红兵; 杨沁清; 王红杰; 王启明; 胡雄伟
Data(s)

2001

Resumo

从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、Xm内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响,得出结论:小折射率差的正方形波导的双折射系数小; 内应力对双折射的影响比几何参数大;弯曲半径较小时,双折射系数较大,弯曲损耗也较大。

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18395

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103835

Idioma(s)

中文

Fonte

欧海燕;雷红兵;杨沁清;王红杰;王启明;胡雄伟.硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析,光学学报,2001,21(1):122

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文