用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO_2层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系。实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO_2层的缺陷发光,在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发光,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强,纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应。在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
丁琨;李国华;韩和相;汪兆平.用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质,红外与毫米波学报,1999,18(6):417 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
