立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In_(1-x)Ga_(1-x)N(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光，局域化是由合金无序造成的，相应局域化能量为60meV左右。荧光衰退呈现双指数特性，快过程(50ps,12K)是自由激子的快速驰豫引起的，而慢过程(200～270ps,12K)则对应局域激子发光，其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局域性质。 国家自然科学基金,国家攀登计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
徐仲英;刘宝利;李顺峰;杨辉;葛惟昆.立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究,红外与毫米波学报,2000,19(1):11 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
