半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态。通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应，发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面而形成载流子浓度梯度引起的，通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法。 利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态。通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应，发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面而形成载流子浓度梯度引起的，通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:26导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5230.pdf: 209702 bytes, checksum: 8f09d1ab5ac1f643d18faf99f17abe13 (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所;北京师范大学物理系 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈宜保;江德生;王若桢;郑红军;孙宝权.半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究,红外与毫米波学报,2000,19(1):15 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
