原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性。发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低，这可解释为生长过程中原子氢对缺陷的原位中和与钝化作用。 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王海龙;朱海军;宁东;汪辉;王晓东;郭忠圣;封松林.原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善,红外与毫米波学报,2000,19(3):191 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
