生长停顿对量子点激光器的影响
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
在InAs自组织量子点的GaAs覆盖层中引入生长停顿，将这种量子点结构作激光器的有源区，与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现 在InAs自组织量子点的GaAs覆盖层中引入生长停顿，将这种量子点结构作激光器的有源区，与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:24导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5224.pdf: 201376 bytes, checksum: 3748f30bbb9ccdb7e3640ffbc443a063 (MD5) Previous issue date: 2000 国家攀登计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
汪辉;王海龙;王晓东;牛智川;封松林.生长停顿对量子点激光器的影响,红外与毫米波学报,2000,19(5):347 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
