InGaAs/GaAs自组织量子点光致发光特性研究

用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份In_xGa_(1-x)As(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性的影响。用In_xGa_(1-x)As外延层覆盖InAs/GaAs量子点，比用GaAs做覆盖层其发光峰能量向低能端移动，发光峰半高宽变窄，量子点发光峰能量随温度的红移幅度变小。理论计算证实这是由于覆盖层In_xGa_(1-x)As减小了InAs表面应力导致发光峰红移，而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂，量子点的均匀性得到改善，PL谱谱半高宽变窄。用InGaAs覆盖的In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs自组织量子点实现了1.3μm发光，室温下PL谱半高宽为19.2meV，是目前最好的实验结果。

用PL谱测试研究了GaAs和不同In组份In_xGa_(1-x)As(x=0.1,0.2,0.3)覆盖层对分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性的影响。用In_xGa_(1-x)As外延层覆盖InAs/GaAs量子点，比用GaAs做覆盖层其发光峰能量向低能端移动，发光峰半高宽变窄，量子点发光峰能量随温度的红移幅度变小。理论计算证实这是由于覆盖层In_xGa_(1-x)As减小了InAs表面应力导致发光峰红移，而In元素有效抑制了InAs/GaAs界面组份的混杂，量子点的均匀性得到改善，PL谱谱半高宽变窄。用InGaAs覆盖的In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs自组织量子点实现了1.3μm发光，室温下PL谱半高宽为19.2meV，是目前最好的实验结果。

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zhangdi于2010-11-23 13:09:23导入数据到SEMI-IR的IR

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中科院半导体所

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