InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究
| Data(s) |
2001
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| Resumo |
简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性。该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0.5A，相应的阈值电流密度为5KA/cm~2。 简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性。该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0.5A，相应的阈值电流密度为5KA/cm~2。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:22导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5220.pdf: 247399 bytes, checksum: d94e7a37d3d7cce6d3072a33df9d2866 (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金,国家863计划 中科院半导体所;Lancaster University 国家自然科学基金,国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张权生;刘峰奇;张永照;王占国;Gao Honghai;A.Krier.InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究,红外与毫米波学报,2001,20(1):41 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
