ECR plasma CVD法淀积980 nm大功率半导体激光器端面光学膜技术
| Data(s) |
1999
|
|---|---|
| Resumo |
介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR plasma CVD)法淀积980nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺条件，探索了膜系监控的方法和优越性，讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性。 介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR plasma CVD)法淀积980nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺条件，探索了膜系监控的方法和优越性，讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:17导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5203.pdf: 176905 bytes, checksum: 51f6b88ea6b7e359ef0a5d902c4cf133 (MD5) Previous issue date: 1999 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
谭满清;茅冬生;陈良惠;李玉璋.ECR plasma CVD法淀积980 nm大功率半导体激光器端面光学膜技术,中国激光,1999,26(9):811 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
