Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
利用磁控反应溅射方法以Ta作为缓冲层制备了Ta/NiO/NiFe/Ta薄膜，磁性分析表明，该结构薄膜的交换耦合场为9.6×10~3A/m，但量所需NiO的实际厚度增加了。采用X射线光电子能谱研究了Ta/NiO/Ta界面，并进行计算机谱图拟合分析。结果表明界面反应是影响层间耦合的一个重要因素。在Ta/NiO界面处发生了反应 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
于广华;柴春林;朱逢吾;肖纪美.Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构,科学通报,2000,45(17):1819 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
