CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”

利用双离子束外延技术制备了CeO_2/Si薄膜，椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100nm，折射系数约为2.455。实验中发现未经退火处理的CeO_2室温光致发光(PL)谱存在着“紫移”现象，其移动距离约为65nm。利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明，PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关。当Ce离子价态发生Ce~(4+)→Ce~(3+)变化时，其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动，出现发光峰“紫峰”现象。

利用双离子束外延技术制备了CeO_2/Si薄膜，椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100nm，折射系数约为2.455。实验中发现未经退火处理的CeO_2室温光致发光(PL)谱存在着“紫移”现象，其移动距离约为65nm。利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明，PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关。当Ce离子价态发生Ce~(4+)→Ce~(3+)变化时，其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动，出现发光峰“紫峰”现象。

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国家973计划

中科院半导体所

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