（113）面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌，测量了其原生及退火后低温下的荧光光谱。对所得结果进行了分析。 用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌，测量了其原生及退火后低温下的荧光光谱。对所得结果进行了分析。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:01导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5179.pdf: 203862 bytes, checksum: 50e92d1e07b79bc9158ac288d935361c (MD5) Previous issue date: 1999 中科院半导体所;中科院物理所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
司俊杰;杨沁清;滕达;王红杰;余金中;王启明;郭丽伟;周均铭.（113）面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光,物理学报,1999,48(9):1745 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
