SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究
Data(s) |
2000
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Resumo |
利用傅里叶变换(FT)方法,对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟,并用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层n-型重掺杂层(SIN~+)结构的GaAs样品的FKO.PR谱的FT分析表明,一部分样品的FT谱,包括其实部、虚部和模,与理论线性符合得比较好,由此求出轻空空(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之比μ_1~(1/2)/(μ_h)~(1/2)对不同样品在0.805-0.816之间,同时也可以求出样品中的内建电场强度F_1,和调制光引起的调制电场δF=F_1-F_2。有一些样品的FT谱实部和虚部与理论线性差别很大,用FT的模仍可以给出有用的信息。 国家自然科学基金 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
金鹏;潘士宏;梁基本.SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究,物理学报,2000,49(9):1821 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |