共溅射和离子注入制备的SiO_2（Eu）薄膜中Eu~（3＋）到Eu~（2＋）的转变

采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO_2方法得到SiO_2(Eu)薄膜，Eu离子的浓度为4%和0.5%。对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明，在高温氮气中发生了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。SiO_2(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论。

采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO_2方法得到SiO_2(Eu)薄膜，Eu离子的浓度为4%和0.5%。对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明，在高温氮气中发生了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。SiO_2(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论。

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中国科学技术大学研究生院物理系;中科院高能物理所;中科院半导体所