离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
利用质量分离的低能离子束沉积技术，得到了非晶碳膜。所用离子能量为50-200eV，衬底温度从室温到800℃。在沉积的能量范围内，衬底为室温时薄膜为类金刚石，表面非常光滑；而600℃下薄膜主要是石墨成分，表面粗糙。沉积能量大于140eV，800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管。用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向，离子的浅注入和应用是这种优先取向的主要机理。 利用质量分离的低能离子束沉积技术，得到了非晶碳膜。所用离子能量为50-200eV，衬底温度从室温到800℃。在沉积的能量范围内，衬底为室温时薄膜为类金刚石，表面非常光滑；而600℃下薄膜主要是石墨成分，表面粗糙。沉积能量大于140eV，800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管。用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向，离子的浅注入和应用是这种优先取向的主要机理。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5166.pdf: 416253 bytes, checksum: 2de632c95108c3a4655295356b590fce (MD5) Previous issue date: 2001 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
廖梅勇;秦复光;柴春林;刘志凯;杨少延;姚振钰;王占国.离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响,物理学报,2001,50(7):1324 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
