a-SiN_x∶H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究
Data(s) |
2000
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Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:40导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5134.pdf: 206000 bytes, checksum: a285e9f35bf4625ce9279bdeea975cfe (MD5) Previous issue date: 2000 国家青年科学基金 清华大学微电子学研究所;中科院半导体所 国家青年科学基金 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
岳瑞峰;王燕;韩和相;廖显伯.a-SiN_x∶H薄膜退火前后微结构的Raman谱研究,真空科学与技术学报,2000,20(4):238 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |