质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜


Autoria(s): 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 廖梅勇; 陈诺夫; 王占国
Data(s)

2001

Resumo

国家973计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18159

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103717

Idioma(s)

中文

Fonte

柴春林;杨少延;刘志凯;廖梅勇;陈诺夫;王占国.质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜,稀有金属,2001,25(6):401

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文