热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:37导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5125.pdf: 220610 bytes, checksum: 83e8c00a9c1d7b4ecaf39fa3b83a6854 (MD5) Previous issue date: 2001 河北省自然科学基金 河北工业大学电信学院;中科院半导体所 河北省自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨瑞霞;张富强;陈诺夫.热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响,稀有金属,2001,25(6):427 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
