磁性多层膜中SiO_2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层。利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO_2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜。采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析，并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析。结果表明在SiO_2/Ta界面处发生了化学反应 磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层。利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO_2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜。采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析，并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析。结果表明在SiO_2/Ta界面处发生了化学反应 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:35导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5121.pdf: 162378 bytes, checksum: 2781f8fc59d73fcab9f8cc93d2021694 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（批准号：1989 31 ）,北京市自然科学基金（批准号：2 12 11） 北京科技大学材料物理系;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金（批准号：1989 31 ）,北京市自然科学基金（批准号：2 12 11） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
于广华;马纪东;朱逢吾;柴春林.磁性多层膜中SiO_2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响,科学通报,2002,47(13):978-980 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
