铟镓氮薄膜的光电特性
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
用金属有机物气相外延设备，在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜，并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试。确定该薄膜为单晶，其中In组分可以从0增加到0.26；在光致激发下发光光谱为单峰，且峰值波长在360～555nm范围内可调；其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合；并具有很高的电子浓度。但InGaN薄膜的结晶质量却随着In含量的增加而变差。 国家自然科学基金（No.6 86 1),国家重点基础研究专项经费（No.G2 683）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
韩培德;刘祥林;袁海荣;陈振;李昱峰;陆沅;汪度;陆大成;王占国.铟镓氮薄膜的光电特性,半导体学报,2002,23(2):143-148 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
