单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用
| Data(s) |
2002
|
|---|---|
| Resumo |
对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火，采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化，对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证实NTD氢区熔单晶硅在150 ～ 650 ℃范围内等时退火具有显著特点 对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火，采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化，对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证实NTD氢区熔单晶硅在150 ～ 650 ℃范围内等时退火具有显著特点 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:27导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5104.pdf: 321222 bytes, checksum: e01c0fefd02e90f0fe8d5a0ded259ca3 (MD5) Previous issue date: 2002 中科院半导体所材料科学中心 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王启元;林兰英;王建华;邓惠芳;谭利文;王俊;蔡田海;郁元桓.单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用,半导体学报,2002,23(1):43-48 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
