高线性度外延及注入GaAs Hall器件
| Data(s) |
2002
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| Resumo |
讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度。GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离，但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿，在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中，可以得到在2.5T的强磁场下，±0.04%的高磁线性度。 讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度。GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离，但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿，在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中，可以得到在2.5T的强磁场下，±0.04%的高磁线性度。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:26导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5103.pdf: 172174 bytes, checksum: 4b93ca07bf2f9342f445466be65f2216 (MD5) Previous issue date: 2002 中国科学院半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
郑一阳.高线性度外延及注入GaAs Hall器件,半导体学报,2002,23(5):505-508 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
