快速响应SOI马赫曾德热光调制器
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
给出了Y分支MZI热光调制器的模型，实验研制了基于SOI（silicon-on-insulator）的MZI热光调制器，调制器的消光比为16.5dB，开关的上升时间为10μs，下降时间为20μs，相应的功耗为0.39W 国家自然科学基金（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
魏红振;余金中;夏金松;严清峰;刘忠立;房昌水.快速响应SOI马赫曾德热光调制器,半导体学报,2002,23(5):509-512 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
