非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
对高温退火非掺磷化铟（InP）制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究，非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930 ℃、80h退火均可获得半绝缘材料。但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性。纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到10~6Ω·cm和1800cm~2/(V·s)；而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达10~7Ω·cm和3000cm~2/(V·s)以上。对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL－Mapping结果进一步比较表明 中国科学院半导体研究所材料中心科研发展基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
董宏伟;赵有文;焦景华;赵建群;林兰英.非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性,半导体学报,2002,23(1):53-56 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
