选择外延MOVPE的表面迁移


Autoria(s): 邱伟彬; 董杰; 周帆; 王圩
Data(s)

2002

Resumo

研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律,以及InGaAsP表面边缘尖角随V/III比的变化。结果表明,随着掩模宽度的增大,In组分增大,Ga组分减少;随着V/III比的增大,InGaAsP材料表面趋向平坦。对材料边缘尖角的变化规律作出了合理解释,研制出表面平坦的外延材料,为器件研制提供了有效的方法。

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18101

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103688

Idioma(s)

中文

Fonte

邱伟彬;董杰;周帆;王圩.选择外延MOVPE的表面迁移,半导体光电,2002,23(3):212-214

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文