选择外延MOVPE的表面迁移
Data(s) |
2002
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Resumo |
研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律,以及InGaAsP表面边缘尖角随V/III比的变化。结果表明,随着掩模宽度的增大,In组分增大,Ga组分减少;随着V/III比的增大,InGaAsP材料表面趋向平坦。对材料边缘尖角的变化规律作出了合理解释,研制出表面平坦的外延材料,为器件研制提供了有效的方法。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
邱伟彬;董杰;周帆;王圩.选择外延MOVPE的表面迁移,半导体光电,2002,23(3):212-214 |
Palavras-Chave | #半导体材料 |
Tipo |
期刊论文 |