大带宽半导体光学放大器的理论分析
| Data(s) |
2002
|
|---|---|
| Resumo |
提出一种新型的半导体光学放大器结构，并从增益谱和能带结构等角度分析其特征，得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律。通过剖析该结构中有源区各部分的作用，得出大的张应变的引入主要是用于提高TM模的材料增益，获得偏振不灵敏和大的TE模带宽，减小制备难度。厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量，获得大的偏振不灵敏模式增益。 提出一种新型的半导体光学放大器结构，并从增益谱和能带结构等角度分析其特征，得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律。通过剖析该结构中有源区各部分的作用，得出大的张应变的引入主要是用于提高TM模的材料增益，获得偏振不灵敏和大的TE模带宽，减小制备难度。厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量，获得大的偏振不灵敏模式增益。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:18导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5082.pdf: 238524 bytes, checksum: 8840f1ed166f3b59c3848a50c1f41cd9 (MD5) Previous issue date: 2002 国家重点基础研究（编号：G2 683-1）,国家自然科学基金（批准号：6989626 ） 中科院半导体所国家光电子工艺中心;长春光机学院 国家重点基础研究（编号：G2 683-1）,国家自然科学基金（批准号：6989626 ） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张瑞英;董杰;张靖;冯志伟;王圩.大带宽半导体光学放大器的理论分析,半导体学报,2002,23(9):941-946 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
