GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
利用光学薄膜原理，计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性，以Ni为粘附层，Ag为反射层的Ni/Ag/Au薄膜体系可以使立方GaN的出光效率从理论上提高2.65倍左右。实验结果证实，利用键合方法实现的以Ni/Ag/Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的GaN/GaAs样品的光反射率的理论计算的459.2nm处提高了2.4倍。 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,NSFC-RGC联合基金（批准号：5 1161953, N-H KU 28/ ） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙元平;张泽洪;赵德刚;冯志宏;付羿;张书明;杨辉.GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现,半导体学报,2002,23(9):1001-1005 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
