GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
| Data(s) |
2002
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| Resumo |
研究了用金属有机物气相外延（MOVPE）方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性，并和生长在蓝宝石（0001）衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿法座蚀特性进行了比较。实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律。对引起上述差异的原因进行了简单的讨论。 研究了用金属有机物气相外延（MOVPE）方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性，并和生长在蓝宝石（0001）衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿法座蚀特性进行了比较。实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律。对引起上述差异的原因进行了简单的讨论。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:16导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5078.pdf: 252069 bytes, checksum: baaa9e02b840acc44fd05d73e5cd31f7 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,NSFC－RGC联合基金（批准号：5 1161953，N－HKU 28/ ） 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,NSFC－RGC联合基金（批准号：5 1161953，N－HKU 28/ ） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
沈晓明;张秀兰;孙元平;赵德刚;冯淦;张宝顺;张泽洪;冯志宏;杨辉.GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较,半导体学报,2002,23(8):881-885 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
