1.55μm InGaAsP-MQW自对准压缩台面高速DBF激光器
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
采用一种自对准压缩台面结构制作高速1.55μm DFB激光器。激光器的典型阈值为12mA，单面斜率效率达0.157mW/mA，出光功率大于20mW。由于采用窄条p-InP作为电流阻挡层，因此激光器的寄生电容可降至2.5pF，-3DB调制带宽可达9.1GHz。 采用一种自对准压缩台面结构制作高速1.55μm DFB激光器。激光器的典型阈值为12mA，单面斜率效率达0.157mW/mA，出光功率大于20mW。由于采用窄条p-InP作为电流阻挡层，因此激光器的寄生电容可降至2.5pF，-3DB调制带宽可达9.1GHz。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:06导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5055.pdf: 241211 bytes, checksum: 2c50b98fe8f60708a8719e76bc7334f8 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（6989626 ）资助项目 中科院半导体所 国家自然科学基金（6989626 ）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张静媛;刘国利;朱洪亮;周帆;孙洋;汪孝杰;王圩.1.55μm InGaAsP-MQW自对准压缩台面高速DBF激光器,高技术通讯,2002,12(2):51-53 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
