横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al_2O_3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半，这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时，还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸。 采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al_2O_3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半，这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时，还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:57导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5046.pdf: 370160 bytes, checksum: a858ff21d5fcdf258669dc654f3d3304 (MD5) Previous issue date: 2002 中国科学院半导体研究所;中科院高能物理所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
冯淦;郑新和;王玉田;杨辉;梁骏吾;郑文莉;贾全杰.横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究,核技术,2002,25(10):770-774 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
