AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究
| Data(s) |
2002
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| Resumo |
测量了ZnSe_(0.92)Te_(0.08)/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱。观察到AnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光，发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%，表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的。还观察到了激子在ZnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻（CdSe）_1/(ZnSe)_3短周期超晶格之间的转移现象。 测量了ZnSe_(0.92)Te_(0.08)/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱。观察到AnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光，发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%，表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的。还观察到了激子在ZnSe_(0.92)Te_(0.08)阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻（CdSe）_1/(ZnSe)_3短周期超晶格之间的转移现象。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:56导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5045.pdf: 274674 bytes, checksum: 951dd79ddcf28ef822d898e6b46fe929 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（批准号69776 12） 中国科学院半导研究所;中国科学院上海技术物理研究所 国家自然科学基金（批准号69776 12） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
方再利;李国华;韩和相;丁琨;陈晔;彭中灵;袁诗鑫.AnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究,红外与毫米波学报,2002,21(1):28-32 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
