硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析


Autoria(s): 邓晓清; 杨沁清; 王红杰; 胡雄伟; 王启明
Data(s)

2002

Resumo

使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布,结果表明波导主要受横向压应力影响,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近。根据波导的应力分布,得出波导的折射率分布,并使用ADI全矢量方法示解出波导的模式折射率。比较考虑应力和未考虑应力的波导模式折射率可以得出

国家自然科学基金(批准号

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17989

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103632

Idioma(s)

中文

Fonte

邓晓清;杨沁清;王红杰;胡雄伟;王启明.硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析,半导体学报,2002,23(11):1196-1200

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文