载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响
| Data(s) |
2002
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| Resumo |
分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器/开关性能的影响，并提出了改进器件性能的一些措施。 分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器/开关性能的影响，并提出了改进器件性能的一些措施。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5037.pdf: 317733 bytes, checksum: c3c090829ee0d3dce06ba48751218d30 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（批准号：6999 54 ）,国家自然科学基金（批准号：6989626 ）,国家重点基础研究发展规划（No. G2 - 3-66）资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金（批准号：6999 54 ）,国家自然科学基金（批准号：6989626 ）,国家重点基础研究发展规划（No. G2 - 3-66）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
严清峰;余金中.载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响,半导体学报,2002,23(12):1308-1312 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
