量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
在室温下用偏振差分反射谱技术观察到了GaAs/AlGs、InGaAs/GaAs和InGaAs/InP三种量子阱材料的平面光学各向异性。我们发现GaAs/AlGaAs量子阱1h→1e跃迁的偏振度与阱宽成反比，与InGaAs/InP量子阱的报道结果类似。Ga原子偏析引起的界面不对称可以很好地解释这种行为。与之相反，InGaAs/GaAs量子阱的光学各向异性倾向于与阱宽成正比，目前还不能很好地解释这种现象。 国家自然科学基金699 6 3,国家重点基础研究专项经费G2 683资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈涌海;叶小玲;王占国.量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究,固体电子学研究与进展,2002,22(4):412-416 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
