InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率
| Data(s) |
2002
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| Resumo |
在有效质量包络函数理论近似下，计算了InAs/GaAs量子点的参数相图，确切定义了InAs/GaAs量子点的参数的范围，使得该量子点能作为二能级量子系统用于量子计算；发现静电场能够有效延长消相干时间，当外加静电场超过20kV/cm时，消相干时间能够达到毫秒量级。这些结果有助于未来实现固态量子计算。 国家自然科学基金（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
潘留仙;刘金龙;李树深;牛智川;封松林;s郑厚植.InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率,中国科学. A辑，数学,2002,32(6):556-559 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
