GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
采用双晶X射线衍射（DC－XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因。发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲。采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层，发现XRD中G N(002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息。该衍射信息起初为一个很宽的峰，随着选择性腐蚀的进行，会先分裂为两个峰，最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后，其中一个衍射峰会消失，而只剩下一个很窄的峰。作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个 采用双晶X射线衍射（DC－XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因。发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲。采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层，发现XRD中G N(002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息。该衍射信息起初为一个很宽的峰，随着选择性腐蚀的进行，会先分裂为两个峰，最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后，其中一个衍射峰会消失，而只剩下一个很窄的峰。作者证实造成横向外延GaN中晶面倾斜的原因有两个 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:43导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5001.pdf: 757483 bytes, checksum: 40b71293f0facab8895244e51cec0322 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,国家杰现青年基金,NSFC-RGC联合基金（批准号：5 1161953，N-HKU 28/ ）资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金（批准号：698251 7）,国家杰现青年基金,NSFC-RGC联合基金（批准号：5 1161953，N-HKU 28/ ）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
冯淦;郑新和;朱建军;沈晓明;张宝顺;赵德刚;孙元平;张泽洪;王玉田;杨辉;梁骏吾.GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制,中国科学. A辑，数学,2002,32(8):737-742 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
